У рамках програми Top Runner 2017 Китай планує підвищити потужність сонячних установок у країні на 8-10 ГВт та налагодити масове виробництво монокристалічних сонячних панелей із високим ККД. В основному їх використовують у космічній індустрії. Китай обіцяє значно знизити ціну таких модулів та зробити їх продуктом широкого вжитку.

Монокристалічні сонячні панелі давно існують на ринку, проте широкого поширення серед споживачів сонячної енергії вони не набули, насамперед, через свою дорожнечу. Найчастіше фотоелементи з монокристалічною структурою використовують під час виробництва супутників.

За ефективністю вони перевершують полікристалічні панелі. Інженерам Інституту сонячних енергетичних систем Фраунгофера (Німеччина) вдалося підвищити ККД монопанелей до 26,7%. У полікристалічних модулів максимальний показник становив лише 21,9%.

З цією технологією китайські виробники сонячних панелей зможуть виробляти ефективніші модулі за зниженою ціною, зазначає Reuters. Монокристалічні модулі, що виробляються в КНР, вже майже зрівнялися за вартістю з полікристалічними. Перші коштують $0,319 за ват, а другі – $0,225 за ват.

У Китаю є ще одна перевага – підтримка держави. Програма розвитку сонячної енергетики Top Runner надаватиме перевагу проектам, спрямованим на підвищення ККД фотоелементів.

Це дозволить Китаю завоювати ще більшу частку ринку. При цьому зараз вже 80% всіх сонячних модулів у світі виробляється в Китаї. «З полікристалічними модулями ми вже досягли стелі. Тепер ми інвестуємо у монокристалічні фотоелементи. Їхня частка може становити 50% від усього ринку», – прогнозує Сі Ціянь, директор з контролю якості китайського виробника сонячних батарей LONGi Green Energy Technology.

Монокристалічні модулі лише ще один етап на шляху розвитку технологій сонячної енергетики. Наступна стадія передбачає створення довговічних та високоефективних багатоперехідних модулів, а також фотоелементів на основі перовскіту.

Нещодавно міжнародна група вчених встановила рекордний ККД 32,8%, використавши двоперехідні сонячні панелі на основі гетероперхідного кремнієвого модуля та верхнього модуля з арсеніду галію.